Сайт Алексея Денисова - студентам МИСиС - справочные данные для материаловеда

Справочные данные для материаловеда

Таблица 1 - Параметры основных полупроводников

Свойство	Si	Ge	GaP	GaAs	InP	InAs	InSb
Тип структуры	Алмаз	Алмаз	Сфалерит	Сфалерит	Сфалерит	Сфалерит	Сфалерит
Параметр решётки, нм	0,543072	0,565754	0,5447	0,56534	0,5873	0,605838	0,674962
Плотность твёрдого, г/см³	2,33	5,33	4,13	5,26	4,78	5,66	5,78
Плотность жидкого (при температуре плавления), г/см³	2,53	5,62	4,60	5,71	5,15	5,90	6,48
Коэффициент уменьшения объёма при плавлении	0,92	0,95	0,90	0,92	0,93	0,96	0,89
Концентрация собственных атомов, атом/см³	5,0*10²²	4,4*10²²	2,5*10²²	2,2*10²²	2,0*10²²	1,8*10²²	1,5*10²²
Атомная (молекулярная) масса, углеродные единицы	28,08	72,59	100,69	144,64	145,79	189,74	236,57
Температура плавления, С	1417	937	1470	1238	1060	943	525
Давление паров в точке плавления, мм рт. ст.	0,1	5*10^-3	-	-	-	-	10^-6Sb
Давление паров в точке плавления, атм	-	-	35 P	1,0 As	25 P	0,33 As	-
Ширина запрещённой зоны при 300 К, ЭВ	1,10	0,66	2,26	1,43	1,35	0,46	0,18
Собственная концентрация носителей зарядов при 300 К, см^-3	10⁸	2*10¹³	2,73	1,3*10⁶	6,9*10⁷	8*10¹⁴	2*10¹⁶
Подвижность носителей зарядов в беспримесном полупроводнике при 300 К, см²/(Вс), для электронов*	1450	3900	300	10500	4800	25000	1,2*10⁶
То же для дырок	480	1900	100	430	650	200	7*10⁴ (70 K)