структур, в которых уменьшается количество
дефектов. Это следует из сравнения гистограмм
пластин, прошедших операции окисления и метал-
лизации, с гистограммами пластин после операций
окисления, стабилизации ФСС и металлизации.
Высота главного пика для пластин после стаби-
лизации ФСС почти в полтора раза больше,чем для
пластин, не прошедших операцию стабилизации
ФСС (рис.1). Полученные результаты совпадают с
данными работы [1], где также отмечалось снижение
дефектности диэлектрической пленки после стаби-
лизации ее ФСС.
Уменьшение дефектности после проведения
стабилизации ФСС может быть связано с уско-
ренным ростом пленки ФСС в областях дефектов, а
также с экранированием локальных неоднород-
ностей диэлектрика и границы раздела полупровод-
ник-диэлектрик отрицательным зарядом электронов,
захваченных в слое ФСС дефектных областей при
измерении напряжения микропробоя.
Следует отметить, что на дефектность ди-
электрической пленки существенное влияние
оказывают не только операции, непосредственно
связанные с формированием подзатворного диэлек-
трика, но и технологические операции, проводимые
после его получения. В частности, проведенные
исследования дефектности МДП-структур по-
казали, что операция удаления кремниевой крошки
при напылении алюминия с кремнием в качестве
верхнего электрода обуславливает снижение высоты
главного пика гистограммы распределения структур
по напряжению микропробоя с 0,4 до 0,15 В