| Измерение параметров полупроводниковых материалов | П.Блад, Дж.В.Ортон | "Методы измерения электрических свойств полупроводников" - часть 1 | 103-150.zip | формат TIFF |
| Измерение параметров полупроводниковых материалов | П.Блад, Дж.В.Ортон | "Методы измерения электрических свойств полупроводников" - часть 2 | 203-249.zip | формат TIFF |
| Информатика | А.В.Денисов | Комплект задач к экзамену по информатике (программы с комментариями) | inform.zip | Power Basic 2.10f |
| Материаловедение полупроводников | В.А.Антонов, В.Г.Елсаков, В.В.Макаров, Т.И.Ольховикова, Е.Н.Слободинова, В.В.Соколов, Ф.Р.Хашимов | Влияние магнитного поля на распределение дефектов и прочностные характеристики легированных монокристаллов полупроводников | 157-161.zip | формат TIFF |
| Материаловедение полупроводников | М.Я.Дашевский, В.В.Петров, В.И.Иванченко, Ю.В.Потапов, М.И.Воронов, В.Л.Левтов, В.В.Романов | Свойства легированных монокристаллов кремния, выращенных в условиях микрогравитации | simk_g0.zip | формат TIFF |
| Материаловедение полупроводников | В.С.Земсков, М.Р.Раухман, Е.А.Козицына, А.В.Лаптев, И.В.Бармин, А.С.Сенченков | Особенности роста, структуры и распределения примеси в кристаллах антимонида индия при их выращивании в условиях невесомости методами Бриджмена и бестигельной зонной плавки | 161-166.zip | формат TIFF |
| Материаловедение полупроводников | В.С.Земсков, В.И.Полежаев, М.Р.Раухман, А.И.Простомолотов, С.Ч.Атабаев, Т.Б.Вирясова, Л.А.Горбунов, Ю.М.Гельфгат | Воздействие продольного магнитного поля на рост и структуру кристаллов InSb<Te>, выращенных по Чохральскому | 166-173.zip | формат TIFF |
| Материаловедение полупроводников | Л.Д.Иванова, Т.Е.Свечникова, С.Н.Чижевская, Ю.В.Гранаткина, С.Н.Горин, Ю.А.Сидоров | Дефекты в монокристаллах твёрдых растворов Sb2Te3-Bi2Te3, легированных Bi2Se3, и Bi2Te3-Bi2Se3, легированных SbI3 | 173-177.zip | формат TIFF |
| Материаловедение полупроводников | Л.А.Казакевич, П.Ф.Лугаков | Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов | 9832129.zip | формат PDF |
| Материаловедение полупроводников | Г.Н.Кожемякин, А.Д.Белая, Л.Г.Ковшова | Распределение сурьмы в монокристаллах сплавов висмут-сурьма | 177-180.zip | формат TIFF |
| Материаловедение полупроводников | Ю.В.Помозов, М.Г.Соснин, Л.И.Хируненко, В.И.Яшник, Н.В.Абросимов, В.Шрёдер, М.Хёне | Кислородсодержащие радиационные дефекты в SiGe | 10301034.zip | формат PDF |
| Материаловедение полупроводников | И.С.Шлимак | Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: наука и приложения | 9941794.zip | формат PDF |
| Сертификация, стандартизация, метрология | ISO 9001-94 | Система качества - модель для обеспечения качества при проектировании, разработке, производстве, монтаже и обслуживании | обложка | формат TIFF |
| оглавление, |
| контент |
| Сертификация, стандартизация, метрология | А.Г.Сергеев, М.В.Латышев | Сертификация | обложка | формат TIFF |
| оглавление |
| введение |
| Организация процессов сертификации |
| Нормативно-методическое обеспечение сертификации |
| Обеспечение качества сертификации |
| Приложения и библиография |
| Современные методы анализа поверхности | 1024.ru | Аппаратура и методы регистрации энергетического распределения вторичных электронов | emission.zip | Microsoft Word 97 |
| Соединения AIIIBV | J.Auleytner, A.Feltynowski, L.Gorski, B.Kolakowski | Микроскопические исследования поверхностей монокристаллов антимонида индия | insb003.zip | формат TIFF |
| Соединения AIIIBV | D.Haneman | Поверхностные свойства антимонида индия при термической обработке | insb004.zip | формат TIFF |
| Соединения AIIIBV | S.C.Liang | Получение антимонида индия | insb001.zip | формат TIFF |
| Соединения AIIIBV | J.B.Mullin | Распределение примесей в антимониде индия | insb002.zip | формат TIFF |
Будет продолжено...